全背接触太阳能电池和制造方法 CN201180073965.8

披露了一种制造全背接触(ABC)太阳能电池的方法。第一极性的掺杂层(102)被形成在晶片(100)的后侧上。第一掩模结构(106、110)被形成在第一极性的掺杂层上。第一掩模结构(106、110)的各个部分是使用第一激光烧蚀工艺去除的。第二极性的掺杂区(118、135、137)被形成在已将第一掩模结构去除的区域内。接触条(134、136)通过丝网印刷和焙烧形成，以使每个接触条与掺杂区(135、137)中的一个接触。
专利类型：发明
专利号：201180073965.8
专利申请日：2011.11.16
公开（公告）日：2014.06.11
申请（专利权）人：天合光能发展有限公司
发明（设计）人：托马斯·穆勒;阿明·杰哈德·阿伯利
国别省市：新加坡;SG