N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法 CN20141004627

本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括：S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽，以形成磷扩散槽区；以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散，以使磷扩散槽区内形成重掺杂，从而形成所述选择性背场。本发明不需要额外制作磷扩散阻挡层，仅利用沉积形成的减反射膜，就可以在制作选择性背场的高温磷扩散时阻止磷源向不需要重掺杂的区域扩散，仅一次高温过程就可在N型硅片衬底的背面形成掺杂浓度不同的选择性背场，避免了在高温下制作氧化层的步骤，减少了损伤，降低了能耗和成本，提高了电池的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201410046279.7
专利申请日：2014.02.10
公开（公告）日：2014.04.30
申请（专利权）人：英利集团有限公司;英利能源（china）有限公司;保定天威英利新能源有限公司
发明（设计）人：张生利;郎芳;史金超;李高非;胡志岩;熊景峰
国别省市：河北;13