晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201410011390.2

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法。该晶体硅太阳能电池的背钝化方法包括提供硅片，在所述硅片的正面进行制绒后在所述硅片的正面上形成绒面；在所述硅片的绒面上制备掩盖膜，得到层叠有掩盖膜的硅片；及将所述层叠有掩盖膜的硅片放入氧化炉中，采用热氧化工艺在所述硅片的背面上制备钝化膜的步骤。该晶体硅太阳能电池的背钝化方法利用掩盖膜的掩膜物性，采用热氧化工艺在硅片的背面上制备钝化膜。该晶体硅太阳能电池的背钝化方法综合了沉积法和热氧化工艺的优点，钝化膜在硅片的背面的生长过程不影响硅片的正面，没有增加背钝化工艺的难度，工艺较为简单，钝化效果好。
专利类型：发明
专利号：201410011390.2
专利申请日：2014.01.09
公开（公告）日：2014.04.23
申请（专利权）人：东莞南玻光伏科技有限公司
发明（设计）人：廖辉;梁杭伟;祁嘉铭;叶雄新;孙小菩;彭华;罗静
国别省市：广东;44