一种制备CIGS薄膜太阳能电池工艺方法 CN201310605463.6

本发明公开了一种制备CIGS薄膜的制备方法，采用磁控溅射设备在玻璃上溅射屏蔽层SiO2、背电极Mo层、预置层掺入Na的CIG层、透明导电薄膜TCO层、蒸发Se层、高温退火处理；溅射预置层掺入Na的CIG层，采用纯金属In靶材、合金靶材CuGa、三元合金靶材CuGaNa靶材，惰性气体Ar为工艺气体，采用磁控溅射装置在镀有Mo背电极的玻璃基板上沉积，其厚度是500nm-1500nm。再采用蒸发的方式将金属Se颗粒蒸发涂布Se层，经过高温热处理退火，形成具有光子晶体结构的CIGS活性层。三元合金靶材CuGaNa溅射CuGaNa薄膜，均匀的Na离子掺入，促进了CIGS金刚石大晶粒有序的生长，增加了载流子迁移率，降低载流子复合，得到贫铜的镜面CIGS吸收层，并改善了CIGS与CdS界面的电学特征，实现稳定、高良率的量化生产。
专利类型：发明
专利号：201310605463.6
专利申请日：2013.11.26
公开（公告）日：2014.04.09
申请（专利权）人：山东希格斯新能源有限责任公司
发明（设计）人：不公告发明人
国别省市：山东;37