一种新型太阳能电池减反射膜的制备方法 CN201310694002.0

本发明公开了一种新型太阳能电池减反射膜的制备方法，引入目前主流氮化硅减反膜不需要用到的另一种特殊气体N0x，形成另一种膜介质，打破目前氮化硅减反射膜折射率下限范围，使折射率范围下限拓宽到1.8左右，旨在有效弥补氮化硅膜折射率范围的不足，拓宽太阳光减反膜的折射率可变范围，降低太阳能电池对太阳光的反射，增加光的利用率，提升电池的电流，从而提升电池的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201310694002.0
专利申请日：2013.12.18
公开（公告）日：2014.03.12
申请（专利权）人：上饶光电高科技有限公司
发明（设计）人：彭国印;毛振乐;张小明;黄治国;王鹏
国别省市：江西;36