多结多叠层硅基薄膜太阳能电池及其制造工艺 CN201310588781.6

本发明提出了一种多结多叠层硅基薄膜太阳能电池及其制造方法。该方法包括：在镀硅薄膜前对基板进预热处理；在TCO前电极上形成p-A-SiC接触层；在p-A-SiC接触层上形成p-A-SiC窗口层；在p-A-SiC缓冲层上形成叠层i-A-SiC本征层。本发明采用宽带隙接触层来降低与TCO前电极之间的界面电阻，通过宽带隙窗口层提升顶电池对短波长蓝光的吸收，采用宽带隙缓冲层减少界面壁垒，降低电池的串联电阻及光吸收损失，同时在非晶碳化硅本征层中采用叠层结构，采用梯度式掺杂，形成具有梯度带隙宽度的非晶碳化硅本征层，从而提高电池的短路电流密度及光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201310588781.6
专利申请日：2013.11.20
公开（公告）日：2014.02.19
申请（专利权）人：湖南共创光伏科技有限公司
发明（设计）人：张峰;李廷凯;毛炳雪;谭学仕;杨晶晶
国别省市：湖南;43