硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法 CN201310069131.0

本发明提供一种硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法。该硅晶太阳能电池包括：一硅晶基板，其中该硅晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面，以及一绝缘层，仅形成于该硅晶基板的该侧面上，且该硅晶基板具有一第一电性；一抗反射层，设置于该硅晶基板的上表面；一掺杂层，设置于该硅晶基板的上表面及该抗反射层之间，其中该掺杂层具有一第二电性；一第一电极，设置于该抗反射层之上并穿过该抗反射层而与该掺杂层电性连接；以及，一第二电极，设置于该硅晶基板的下表面。
专利类型：发明
专利号：201310069131.0
专利申请日：2013.03.05
公开（公告）日：2014.02.19
申请（专利权）人：财团法人工业技术研究院
发明（设计）人：厉文中
国别省市：台湾;71