纹理结构的形成方法以及太阳能电池的制造方法 CN201280028505.8

本发明涉及一种纹理结构的形成方法以及太阳能电池的制造方法。因此，在通过使用专利文献2记载的方法制造纹理结构从而制成的太阳能电池中，存在少数载体的寿命变差，太阳能电池的特性降低的问题。本发明是一种纹理结构的形成方法，该形成方法包括：在厚度300μm以下的半导体基板的一个表面即第一表面形成氮化硅膜的工序。图3是对本实施方式的背面电极型太阳能电池的制造方法的在n型硅基板的第二表面形成纹理结构的工序进行图解的示意性截面图。另外，若考虑形成纹理结构时的蚀刻时间，则确认了在将样本1及样本2分别用作形成纹理结构时的掩模的情况下，样本1及样本2的厚度为10nm以上40nm以下的薄膜、优选为20nm以上30nm以下的薄膜就足够了。
专利类型：发明
专利号：201280028505.8
专利申请日：2012.04.04
公开（公告）日：2014.02.19
申请（专利权）人：夏普株式会社
发明（设计）人：高桥优;樋口将史;长沼有佑;泽田幸平
国别省市：日本;JP