P-型背钝化太阳能电池的制备方法 CN201310549483.6

　
本发明公开了一种P-型背钝化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：（1）在P-型硅片上表面制绒及扩散；（2）对扩散后的P-型硅片的背面进行刻蚀处理；（3）刻蚀处理后的P-型硅片的背面镀膜形成钝化层；（4）P-型硅片的正面镀膜形成抗反射层；（5）背面钝化层上通过激光进行开孔；（6）对激光开孔处理后的P-型硅片进行热处理；（7）印刷电极并将电极烧结在P-型硅片，得到P-型背钝化太阳能电池。本发明节省了高成本的湿法去损伤步奏，并且可以同时在正面抗反射薄膜上形成氮化硅，利用多层薄膜的特性来降低反射率，光转化效率高。
专利号：201310549483.6
专利申请日：2013.11.08
公开（公告）日：2014.02.05
申请（专利权）人：中电电气（扬州）光伏有限公司
发明（设计）人：卢韦至
国别省市：江苏;32