制造太阳能电池及其掺杂层的方法 CN201310168313.3

本发明提供了一种制造太阳能电池及其掺杂层的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的掺杂层的方法包括：向基板离子注入掺杂物；以及进行热处理以活化掺杂物。在用于活化的热处理中，在第一气体气氛下以低于第一温度的温度形成抗外扩散膜之后以第一温度对基板进行热处理。
专利类型：发明
专利号：201310168313.3
专利申请日：2013.05.09
公开（公告）日：2014.01.15
申请（专利权）人：LG电子株式会社
发明（设计）人：郑珠华;珍龙德;梁荣成;河万孝
国别省市：韩国;KR

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