减反射膜的制备方法、减反射膜及太阳能电池片 CN201310432336.0

本发明提供了一种减反射膜的制备方法、减反射膜及太阳能电池片。该减反射膜的制备方法包括：步骤S1：对用于制作减反射膜的硅片进行预处理；步骤S2：利用PECVD方法在硅片表面沉积形成氮化硅膜，沉积过程中，氨气和硅烷的体积比为1.75至2.25；步骤S3：对经步骤S2得到的硅片进行后处理。根据本发明，能够提高减反射膜抗PID效应的能力，与此同时，本发明克服了以往需要增加设备或对现有设备进行改进来实现二氧化硅的制作，从而降低了企业制作抗PID效应的减反射膜的成本。
专利类型：发明
专利号：201310432336.0
专利申请日：2013.09.22
公开（公告）日：2014.01.01
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：解占壹;王红芳;徐卓;刘大伟;赵学玲
国别省市：河北;13