一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法 CN201310386114.X
本发明提出一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，经配料、注浆成型、烧结而成。本发明具有工艺简单、不需发生化学反应、不需添加有机造孔剂、不需加压，能制备形状复杂的制品，素坯强度较高，均匀性好、内在缺陷少，最终陶瓷密度、强度均高于其它方法制备的氮化硅基多孔陶瓷材料。
专利号：
201310386114.X专利申请日：
2013.08.30公开（公告）日：
2014.01.01申请（专利权）人：
航天特种材料及工艺技术研究所发明（设计）人：
张辉;吕毅;张天翔;王涛;郭世峰;裴雨辰;赵英民;武建强国别省市：
北京;11
