一种晶体硅太阳电池及其制备方法 CN201310310926.6
本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法。所述晶体硅太阳电池，包括第一导电类型晶体硅层；覆盖所述第一导电类型晶体硅层正面的第二导电类型晶体硅层；覆盖所述第二导电类型晶体硅层的遂穿介质膜层；位于遂穿介质膜层上的至少一个金属前电极和减反射膜层；其中，所述遂穿介质膜层的厚度范围为0.1nm～10nm。在本发明技术方案中，遂穿介质膜层既能对第一导电类型晶体硅正面钝化，又能传递载流子，因此降低了饱和暗电流密度，提高了太阳电池的性能。
专利类型：发明
专利号：
201310310926.6专利申请日：
2013.07.23公开（公告）日：
2013.11.27申请（专利权）人：
新奥光伏能源有限公司发明（设计）人：
毛卫平;谷士斌;田小让;王进;杨荣;孟原;郭铁;李立伟国别省市：
河北;13
