一种背面钝化电池SiO2钝化层的制备方法 CN201310282773.9

本发明公开了一种背面钝化电池SiO2钝化层的制备方法，采用热氧化生长工艺，在整个工艺过程中，至少包含两步热处理。两步热处理的具体步骤如下：⑴SiO2钝化层的生长：在850℃~1000℃的温度条件下，通入氮气和氧气的混合气体，对硅片进行氧化，氧化时间在10min~90min之间，其中氧气的体积比控制在5%~50%之间；⑵低温退火：完成氧化过程后，降温到400℃~800℃，通入氮气对生成的SiO2钝化层进行退火处理，退火时间在30min~90min之间。本发明通过优化氧化过程中的温度和气体比例，以及增加在氧化后的低温退火过程来改善SiO2钝化层的质量，从而提高钝化效果最终获得硅太阳能电池效率的提升。
专利类型：发明
专利号：201310282773.9
专利申请日：2013.07.08
公开（公告）日：2013.11.20
申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
发明（设计）人：汤安民;福克斯·斯蒂芬;苗凤秀;蔡永梅;苗丽燕;刘长明;刘丽芳;谢斌;谢旭;杨金波;李仙德;陈康平;金浩
国别省市：浙江;33