晶体硅太阳能电池及其制作方法 CN201210142822.4

　
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池，它包括晶体硅片衬底，在晶体硅片衬底的相对两端面分别设有垂直于硅片端面的多个横向PN结，各PN结分别由P型层和N型层构成，在晶体硅片衬底的前表面顺序设有绒面和减反射层，在晶体硅片衬底的背表面设有金属电极和/或P+层。其制作方法包括硅片预处理、垂直结构处理、横向PN结制作、绒面制作、沉积减反射层、沉积绝缘层和金属化。本发明的晶体硅太阳能电池可以有效减少入射光损失；降低电极电阻和接触电阻；有效的提高了太阳能电池的短路电流、开路电压和填充因子，提高了太阳能电池的转换效率；输出电压高，可用于特殊场合。
专利号：201210142822.4
专利申请日：2012.05.09
公开（公告）日：2013.11.13
申请（专利权）人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司
发明（设计）人：郭群超;庞宏杰;王凌云;柳琴;白晓宇;张愿成;张滢清
国别省市：上海;31