一种碳化硅晶须的制备方法及相关应用 CN201210135249.4

该发明公开了一种纳米SiC晶须的制备方法，具有高达100％的晶须产率。工艺原料为商业碳源和稻壳白灰的均匀混合物。在惰性气氛中将该混合物加热到高温(1500℃)，并且在该温度下保温一段时间。反应后，产物主要是β-SiC纳米晶须(光滑表面或者表面有小颗粒而呈串珠结构)。将反应产物在空气中加热到700℃，保温(120分钟)除去残余的碳元素，以得到高纯度的SiC晶须产品。所得SiC晶须直径为200nm到400nm，长度为数十微米。SiC的一系列优异的性质使其具有广泛的应用，例如用于复合材料中的增强相，以及在热流体中用于增加热传递系数。本发明中，串珠结构的SiC晶须用于复合材料的增强，比起传统的光滑纤维效果更加明显；SiC晶须对于热流体的热传递系数有大幅度提高。
专利类型：发明
专利号：201210135249.4
专利申请日：2012.05.04
公开（公告）日：2013.11.06
申请（专利权）人：江苏瑞力新材料科技有限公司
发明（设计）人：张培根;郭晟旻;邢乃文;梁建栋;王开阳
国别省市：江苏;32