一种制备多晶硅薄膜的方法 CN201210118645.6

本一种制备多晶硅薄膜的方法，属于磁控溅射制备薄膜领域，特点是在较低温度下采用磁控溅射多靶共溅法在玻璃基片上快速制备多晶硅薄膜，与传统使用等离子增强化学气相沉积方法制备多晶硅薄膜相比，避免了工艺复杂，污染环境，且晶化温度高，需要消耗大量能源等问题。通过本发明制备多晶硅薄膜，只需在单一磁控溅射设备中完成，还具有工艺简单、薄膜沉积速率快、晶化温度低、所需原料成本低、薄膜质量好等特点，在太阳能电池和集成电路制造等领域具有很大的应用前景。
专利类型：发明
专利号：201210118645.6
专利申请日：2012.04.13
公开（公告）日：2013.10.30
申请（专利权）人：河南师范大学
发明（设计）人：杨海刚;尤天友;蒋玉荣;宋桂林;王天兴;常方高
国别省市：河南;41