制作具有正面纹理和平滑背面表面的硅太阳能电池的方法 CN201180067305.9

　
制作一面被平滑化蚀刻的硅太阳能电池的方法，其中一个硅基底的正面和背面被蚀刻（10）以形成平滑的纹理，一个介电覆层被形成在所述硅基底的背面上（14，16），且所述硅基底的所述正面随后借助一种纹理蚀刻介质被纹理化（20），形成在所述硅基底的背面上的所述介电覆层被用作对所述纹理蚀刻介质的蚀刻掩膜。
专利号：201180067305.9
专利申请日：2011.12.09
公开（公告）日：2013.10.09
申请（专利权）人：森特瑟姆光伏股份有限公司
发明（设计）人：阿道夫·闵塞尔;安德里亚斯·特佩;简·薛昂;马赛厄斯·海恩;杰恩斯·库因伯格;桑德拉·库因伯格
国别省市：德国;DE