一种交叉垂直发射极结构晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201310226654.1
本发明公开了一种交叉垂直发射极结构晶体硅太阳能电池的制备方法，含以下步骤：选取硅基体，预处理后，采用激光或采用化学湿法刻蚀方法在硅基体的前表面进行开槽，形成交叉垂直结构的开槽，对开槽后的硅基体清洗损伤后，在硅基体前表面和交叉垂直结构的开槽结构内进行制绒，形成减反射结构；进行磷或硼扩散，在前表面形成发射极结构；在前表面沉积钝化减反射膜；丝网印刷背面导电电极和背面电场，在前表面的横向槽或纵向槽上丝网印刷导电浆料制备细栅线，烧结形成金属电极与硅基体之间的欧姆接触，制成交叉垂直发射极结构的晶体硅太阳能电池。该方法工艺简单，与当前产业化生产线完全兼容，适合于大规模生产，具有很好的应用前景。
专利类型：发明
专利号：
201310226654.1专利申请日：
2013.06.08公开（公告）日：
2013.10.09申请（专利权）人：
中山大学发明（设计）人：
梁宗存;郑付成国别省市：
广东;44
