双面太阳能电池的制造方法 CN201210083468.2

本发明公开了一种双面太阳能电池的制造方法，至少包括步骤：提供半导体基板；以激光光束对半导体基板的第一表面及第二表面进行表面处理；于半导体基板的至少部分区域形成均质的射极层，其中半导体基板与射极层间形成pn接面；形成抗反射膜于第一表面；以及分别形成第一电极及第二电极于第一表面及第二表面，通过激光光束可调整的特性作为表面处理工具，以达到增加受光面积，进而促进光线吸收效率，以及提高开路电压、短路电流及填充因子(FF)等工艺参数表现的功效。本发明通过激光光束可调整的特性作为晶片表面处理工具，以达到增加受光面积，进而促进光线吸收效率，以及提高开路电压(Voc)、短路电流(Isc)及填充因子(FF)等工艺参数表现的功效。
专利类型：发明
专利号：201210083468.2
专利申请日：2012.03.22
公开（公告）日：2013.09.25
申请（专利权）人：台湾茂矽电子股份有限公司
发明（设计）人：游志成
国别省市：台湾;71