太阳能电池单元及其制造方法、以及太阳能电池模块 CN201180065177.4

具备：第1导电类型的半导体基板11，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层3；受光面侧电极5，与所述杂质扩散层3电连接而形成于所述半导体基板11的一面侧；以及背面侧电极7，形成于所述半导体基板11的另一面侧，在所述半导体基板11的另一面侧的表面具有第1凹凸形状2a，在所述半导体基板11的一面侧的表面的至少一部分，具有第2凹凸形状2b，该第2凹凸形状2b具有比所述第1凹凸形状2a低的光反射率，所述半导体基板11的一面侧的光反射率低于所述半导体基板11的另一面侧的光反射率.
专利类型：发明
专利号：201180065177.4
专利申请日：2011.02.01
公开（公告）日：2013.09.18
申请（专利权）人：三菱电机株式会社
发明（设计）人：唐木田昇市
国别省市：日本;JP