低成本的太阳能电池及其生产方法 CN201310095034.9

　
本发明涉及低成本的太阳能电池及其生产方法，其无需进行冶金级硅的气化来制造太阳能电池，因此避免了在太阳能级或硅级硅的制造中涉及的成本和健康以及环境危害。该生产太阳能电池的方法包括：获得基本上由被掺杂为p-型或n-型的冶金级硅组成的多晶硅晶片；织构该晶片的正面；直接在该晶片的正面上并且与该晶片的正面接触地沉积本征层；在所述本征层上并且与该本征层接触地沉积与该晶片相反极性的掺杂层；在所述掺杂层上形成顶导电接触；以及在所述晶片的底面上形成底导电接触。
专利号：201310095034.9
专利申请日：2008.11.07
公开（公告）日：2013.09.11
申请（专利权）人：森普雷姆有限公司
发明（设计）人：辛哈·阿肖克
国别省市：美国;US