多结太阳能电池及其制备方法 CN201210130665.5

本发明公开一种多结太阳能电池，特别地是一种Ga0.5In0.5P/In0.01Ga0.99As/Ge多结太阳能电池，其特征在于：多结太阳能电池结构的中电池中包含叠层InxGa1-xAs量子点应力调制层，以及在应力调制下形成的多层自组装InAs量子点分子结构。本发明可以提升多结太阳能电池的电流，提高光电转换效率，同时增强多结太阳能电池的抗辐射性能。
专利类型：发明
专利号：201210130665.5
专利申请日：2012.04.29
公开（公告）日：2013.09.04
申请（专利权）人：天津三安光电有限公司
发明（设计）人：刘建庆;林桂江;王良均;丁杰;毕京锋
国别省市：天津;12