一种Al-Sn薄膜负极及其制备方法 CN201310163429.8

本发明公开了一种Al-Sn薄膜负极及其制备方法，包括如下步骤：a、在黄铜基片上沉积铝膜；b、将a步骤中得到的样品作为衬底，以PMMA为电子束抗蚀剂，在衬底上制备孔洞阵列微结构；c、以PMMA为保护层，将b步骤得到的样品进行刻蚀处理，在铝膜上得到孔洞阵列微结构；d、以c步骤中得到的具有微观结构的衬底作为基片，以纯Sn作为靶材，沉积纯Sn；e、用热丙酮去除抗蚀剂PMMA，从而得到Al-Sn薄膜负极。该方法具有可设计性、可控制性、灵活性较高等优点，对Al-Sn的分布进行人为地控制和设计既可以缓充锂离子电池充放电反应过程中的体积膨胀效应，又可以对体积结构变化进行定量的分析。
专利类型：发明
专利号：201310163429.8
专利申请日：2013.05.06
公开（公告）日：2013.08.28
申请（专利权）人：华南理工大学
发明（设计）人：刘江文;刘佳;胡仁宗;曾美琴;朱敏
国别省市：广东;44