单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法 CN201310164476.4
本发明涉及一种单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法，是针对解决现有单晶等外品N型硅片较难制作太阳能电池片的技术问题而设计。其方法步骤包括清洗、扩散烧结、去磷硅玻璃、镀减反射膜、二次清洗、制绒抛光、去除减反射膜、再次镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结、恒温提取、功率分档，最终制得转换效率18%的N型太阳能电池片。本发明制造工艺简单，成本低，不仅实现资源充分利用，节能环保，且为社会创造能源财富，适合作为太阳能电池片的制造方法，或同类方法的改进。
专利号：
201310164476.4专利申请日：
2013.05.07公开（公告）日：
2013.08.28申请（专利权）人：
莫志凯发明（设计）人：
莫志凯;邵芳国别省市：
浙江;33
