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一种晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201310125311.6


本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:在硅片正面形成绒面;在所述硅片正面进行P离子注入;在所述硅片的背面进行重掺杂,并对所述硅片进行退火;去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃;在所述硅片正面形成减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极。本发明的方法制备的太阳能电池在具有通过离子注入获得的高效p-n结的同时还具有优异的背面吸杂效果,光电转换效率得到了显著提升。
专利号:201310125311.6
专利申请日:2013.04.11
公开(公告)号:
公开(公告)日:2013.07.17
分类号:
申请(专利权)人:浙江正泰太阳能科技有限公司
发明(设计)人:石强;李旺;单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;仇展炜
国别省市:浙江;33


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