一种晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201310125311.6

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在硅片正面形成绒面；在所述硅片正面进行P离子注入；在所述硅片的背面进行重掺杂，并对所述硅片进行退火；去除重掺杂区的P扩散层和磷硅玻璃；在所述硅片正面形成减反膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极。本发明的方法制备的太阳能电池在具有通过离子注入获得的高效p-n结的同时还具有优异的背面吸杂效果，光电转换效率得到了显著提升。
专利号：201310125311.6
专利申请日：2013.04.11
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.07.17
分类号：
申请（专利权）人：浙江正泰太阳能科技有限公司
发明（设计）人：石强;李旺;单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;仇展炜
国别省市：浙江;33