轻掺杂银浆的发射极制备方法 CN201310107420.5

本发明公开了一种轻掺杂银浆的发射极制备方法，属于多晶硅太阳能电池技术领域。其步骤如下：采用银浆作底料，在每千克银浆中掺入2～8克红磷；在上述银浆与红磷的混合物中加入2～5克稀释剂，然后搅拌5～10分钟；将上述搅拌后的混合物放入滚动式搅拌器中，在转速为50～100转/分钟、温度为40～50℃的条件下，搅拌2～3小时；将步骤（2）中搅拌混合好的银浆通过不锈钢丝网印刷到硅片上，然后将印刷好银浆的硅片放入烧结炉的炉带上，进行烧结。本发明的有益效果如下：通过使用掺入一定量红磷的银浆，在与硅片接触处，形成轻掺杂，并合理设置烧结工艺参数，从而提高多晶硅太阳能电池片的转换效率。
专利号：201310107420.5
专利申请日：2013.03.29
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.7.3
分类号：
申请（专利权）人：衡水英利新能源有限公司
发明（设计）人：程宾
国别省市：河北;13