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硅基板的洗净方法和太阳能电池的制造方法 CN201280003421.9


包括:用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面,在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序;用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层的孔,在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序;用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序;和用含有臭氧的水处理采用上述碱药液蚀刻的硅基板,在形成于该硅基板的上述孔的内部产生气泡,将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序。
专利号:201280003421.9
专利申请日:2012.03.15
公开(公告)号:
公开(公告)日:2013.7.3
分类号:
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
发明(设计)人:西本阳一郎;安永望;松田高好
国别省市:日本;JP


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