硅基板的洗净方法和太阳能电池的制造方法 CN201280003421.9

包括：用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面，在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序；用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层的孔，在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序；用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序；和用含有臭氧的水处理采用上述碱药液蚀刻的硅基板，在形成于该硅基板的上述孔的内部产生气泡，将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序。
专利号：201280003421.9
专利申请日：2012.03.15
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.7.3
分类号：
申请（专利权）人：三菱电机株式会社
发明（设计）人：西本阳一郎;安永望;松田高好
国别省市：日本;JP