一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法 CN201310111198.6

本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，步骤如下：将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结，同时硅片上表面被氧化；除去硅片顶电极区以外的氧化层；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
专利号：201310111198.6
专利申请日：2013.04.01
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.06.19
分类号：
申请（专利权）人：南通大学
发明（设计）人：花国然;王强;朱海峰;姚滢;张华
国别省市：江苏;32