单晶硅太阳能电池及其制作方法 CN201210529746.2

一种单晶硅太阳能电池及其制作方法，所述单晶硅太阳能电池的制作方法包括：提供基片，所述基片为第一类型单晶硅片；对所述基片的表面进行第二类型掺杂，形成第一类型单晶硅层和位于所述第一类型单晶硅层上表面的第二类型单晶硅层；在所述第二类型单晶硅层的表面形成第一应力层；在所述第一应力层表面形成第一电极，在所述第一类型单晶硅层的下表面形成第二电极。所述单晶硅太阳能电池的制作方法能够有效提高单晶硅太阳能电池中载流子的迁移率，提高单晶硅太阳能电池的转换效率。
专利号：201210529746.2
专利申请日：2012.12.06
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.15
分类号：
申请（专利权）人：杭州赛昂电力有限公司
发明（设计）人：杨瑞鹏;张开军;付建明;温显
国别省市：浙江;33