低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法 CN201310026814.8

本发明涉及低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法。它具体有如下步骤：1）将制绒后的硅片表面制作发射极；2）将步骤1所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除；3）将步骤2所得硅片进行高温退火；4）将步骤3所得硅片再依次采用沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。本发明可以有效的提高扩散方阻的均匀性，高温退火减少了硅片中的微缺陷和杂质离子，提高了少数载流子寿命，可使短路电流密度提高0.1-1mA/cm2，开路电压提高3-10mV，转化效率提高0.1-0.5%。
专利类型：发明
专利号：201310026814.8
专利申请日：2013.01.24
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.08
分类号：
申请（专利权）人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
发明（设计）人：任现坤;李秉霖;姜言森;张春艳;程亮;贾河顺;徐振华
国别省市：山东;37