一种多晶硅线痕片的制绒方法 CN201210576671.3

本发明涉及一种多晶硅线痕片的制绒方法，包括以下步骤：（1）在8℃～10℃恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液；（2）将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗1～3分钟；（3）制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40℃的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制绒后的硅片。本发明的有益效果为：工艺过程简单，便于操作，使用抛光和制绒一步处理，大大缩短了制绒反应时间，同时处理后的多晶硅线痕片表面形成均匀绒面，有效去除了切割所产生的线痕，有利于提高太阳能电池的工作效率，提高了电池的吸光能力。
专利类型：发明
专利号：201210576671.3
专利申请日：2012.12.26
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.04.10
分类号：
申请（专利权）人：太阳能光伏北京市工程研究中心有限公司
发明（设计）人：许颖;武涛;赵钊;陈招银;郑炜
国别省市：北京;11