薄膜太阳能电池组件的制备方法 CN201210509086.1

一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上制备钼薄膜；对所述钼薄膜进行退火处理形成钼背电极，退火温度为400℃～580℃，退火时间为5～15分钟；及在所述钼背电极上依次制备铜铟镓硒或铜铟硒吸收层、缓冲层、窗口层及透明导电薄膜，形成所述薄膜太阳能电池组件。上述方法中，通过退火处理，将钼薄膜加工成为同时具备良好附着力、抗腐蚀以及良好导电性的适用于薄膜太阳能电池组件背电极。并且通过此改进，提高了薄膜太阳能电池组件器件的工作效率。
专利类型：发明
专利号：201210509086.1
专利申请日：2012.12.03
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
发明（设计）人：童君;杨春雷;肖旭东
国别省市：广东;44