具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 CN201210468808.3

一种具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法，包括：在不锈钢衬底上，溅射掺锡氧化铟薄膜；在腔室中通入氢气，对掺锡氧化铟薄膜进行H等离子体处理；再向腔室中通入第一反应气体或第二反应气体，使不锈钢衬底与铟金属纳米颗粒之间形成n型或p型硅纳米线；降低腔室中温度，向腔室中通入氢气和硅烷气体，在硅纳米线上沉积本征层；向腔室中通入第二反应气体或第一反应气体，在本征层上沉积掺杂层，该掺杂层为p型掺杂或n型掺杂，形成样品；将沉积掺杂层后的样品从腔室中取出，采用磁控溅射的方法在掺杂层上生长掺锡氧化铟透明薄膜电极，完成制备。该方法具有陷光能力强和高的光电转化效率。
专利类型：发明
专利号：201210468808.3
专利申请日：2012.11.19
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：china科学院半导体研究所
发明（设计）人：谢小兵;曾湘波;杨萍;李洁;李敬彦;张晓东;王启明
国别省市：北京;11