一种N型背接触太阳能电池的制备方法 CN201210530692.1

本发明公开了一种N型背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗N型硅片表面，去除损伤层，制绒；(2)在硅片正面制备磷掺杂层；(3)在硅片的正面设置钝化减反射膜；(4)在硅片上开孔；(5)在硅片背面印刷正面电极焊接位、孔金属电极和背面电极焊接位，烘干；(6)在硅片背面印刷铝浆并烘干；(7)在硅片正面印刷正面电极；(8)烧结，即可得到N型背接触太阳能电池。本发明采用在硅片背面印刷铝浆的方法，烧结后形成铝掺杂层，与N型硅片基体构成PN结，同时形成背电极，通过控制铝浆的印刷图形，避免了正负极的短路；该方法工艺路线简单，易于实现。
专利类型：发明
专利号：201210530692.1
专利申请日：2012.12.11
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明（设计）人：殷涵玉;杨智;王登志
国别省市：江苏;32