形成与碲化镉太阳能电池的后接触的方法 CN201180025525.5

一种形成与含Cd和Te的化合物膜表面的欧姆接触的方法，所述膜可以例如在光伏电池中发现。所述方法包括：在所述含Cd和Te的化合物膜的表面上形成富Te层；在所述富Te层上沉积界面层；以及在所述界面层上敷设接触层。所述界面层由Zn和Cu的金属形式构成。
专利类型：发明
专利号：201180025525.5
专利申请日：2011.05.24
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.2.6
分类号：
申请（专利权）人：安可太阳能股份有限公司
发明（设计）人：B·M·巴索尔
国别省市：美国;US

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