一种单面电极晶体硅太阳能电池的制法 CN201110221373.8

本发明公开了一种单面电极晶体硅太阳能电池的制法，其步骤主要包括激光制绒，镀钝化防反射复合膜，激光掺杂，激光制背电极等。所述激光制绒包括以激光在晶体硅太阳能电池的受光面制备绒面结构和以化学溶液去除激光损伤层。所述激光掺杂采用在真空环境中通入掺杂工艺气体然后以激光照射待掺杂晶体硅片表面。所述激光制背电极工序包括真空镀背电极材料及激光烧结背电场工艺。这种制法可以尽量避免晶体硅单面电极太阳能电池制备过程中的人为因素干扰，适合规模化生产，同时，由于整个制备过程中没有较大压力施加在硅片上，电池基片可以非常薄，低于100μm，可以突出这种太阳能电池的优势，提高转换效率。
专利类型：发明
专利号：201110221373.8
专利申请日：2011.07.18
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.23
分类号：
申请（专利权）人：刘莹
发明（设计）人：刘莹
国别省市：江苏;32