氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法 CN201210350692.3

本发明公开了一种氮化硅膜的制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法。其中氮化硅膜的制备方法包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向管式炉内通入氮气，并将管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。通过在硅片上设置第一氮化硅膜层之前对管式炉恒温，使硅片经过恒温步骤后硅片四周和中间的温度一致，保证了硅片四周和中间的氮化硅膜生长速率一致，改善了硅片边缘因温度较高生长速率过快，解决了硅片表面各处氮化硅膜的厚度和折射率不同引起颜色偏差的问题，降低了硅片等级，提高了硅片的合格率。
专利类型：发明
专利号：201210350692.3
专利申请日：2012.09.19
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.2
分类号：
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：赵学玲;范志东;李倩;李永超;王涛;解占壹
国别省市：河北;13