一种高效多结太阳能电池的制备方法 CN201210249856.3

本发明公布了一种高效多结太阳能电池的制备方法，其具体步骤包括：提供一Ge衬底，用于半导体外延生长；以Ge衬底为基区，在所述Ge衬底上生长发射区，构成第一子电池，其具有一第一带隙；采用MBE生长方法，在所述第一子电池上方形成第二子电池，使其具有大于第一带隙的一第二带隙，且晶格与第一子电池晶格匹配；采用MOCVD生长方法，在所述第二子电池上方形成第三子电池，使其具有大于第二带隙的第三带隙，并且与第一、二子电池晶格匹配；采用MOCVD生长方法，在所述第三子电池上方形成第四子电池，使其具有大于第三带隙的第四带隙，其晶格常数与第一、二、三子电池匹配。本发明还包括将MOCVD和MBE结合生长的其它多结（四结及其以上）太阳能电池的制备。运用此方法能够制备高质量、晶格匹配、电流匹配的高效多结太阳能电池。
专利类型：发明
专利号：201210249856.3
专利申请日：2012.07.19
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.24
分类号：
申请（专利权）人：厦门市三安光电科技有限公司
发明（设计）人：毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰
国别省市：福建;35