一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法 CN201210205274.5

本发明公开了一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法，具有如下步骤：a、将厚度为160μm～200μm的原生N型硅片浸入RCAI溶液中漂洗，去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质；b、将漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗；c、将清洗后的硅片浸入RCAII溶液中漂洗，去除硅片表面残留的钠、铁、镁和锌金属污染物；d、将漂洗后的硅片浸入由氢氟酸、硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中浸泡；e、将浸泡后硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；f、上述样片用氢氧化钾钝化后密封，利用μ-PCD法进行少子寿命测试本发明。本发明对厚度为160-200μm的N型太阳能级硅硅片钝化后，硅片的少子寿命大大提高，提高了测试精度。
专利类型：发明
专利号：201210205274.5
专利申请日：2012.06.20
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.17
分类号：
申请（专利权）人：常州天合光能有限公司
发明（设计）人：张弛;熊震;付少永
国别省市：江苏;32