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硅太阳能电池用ZnSnO3-X透明薄膜 CN201210219804.1

专利类型:发明
专利号:201210219804.1
专利申请日:2012.06.29
公开(公告)号:
公开(公告)日:2012.10.10
分类号:
申请(专利权)人:苏州嘉言能源设备有限公司
发明(设计)人:葛波
国别省市:江苏;32
本发明涉及一种硅太阳能电池用ZnSnO3-X透明薄膜,并且所述的透明薄膜中X=0.05-0.5。本发明所述的透明薄膜对波长为300-900nm的电磁波透过率超过92%。将本发明所述的透明薄膜沉积在硅太阳电池上表面,能够降低硅太阳电池的热化效应,提高电池的光电转换效率。


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