硅太阳能电池用ZnSnO3-X透明薄膜 CN201210219804.1

专利类型：发明
专利号：201210219804.1
专利申请日：2012.06.29
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.10
分类号：
申请（专利权）人：苏州嘉言能源设备有限公司
发明（设计）人：葛波
国别省市：江苏;32
本发明涉及一种硅太阳能电池用ZnSnO3-X透明薄膜，并且所述的透明薄膜中X=0.05-0.5。本发明所述的透明薄膜对波长为300-900nm的电磁波透过率超过92％。将本发明所述的透明薄膜沉积在硅太阳电池上表面，能够降低硅太阳电池的热化效应，提高电池的光电转换效率。