含水酸性蚀刻溶液和使单晶和多晶硅衬底的表面纹理化的方法 CN201080042105.3

本发明涉及一种适合使单晶和多晶硅衬底的表面纹理化的含水酸性蚀刻溶液，所述溶液基于溶液全部重量包含如下组分：3-10重量％氢氟酸；10-35重量％硝酸；5-40重量％硫酸；和55-82重量％水；涉及一种使单晶和多晶硅衬底的表面纹理化的方法，其包括如下步骤：(1)使衬底的至少一个主表面与所述含水酸性蚀刻溶液接触，(2)在足以得到由凹陷和突起组成的表面纹理的时间和温度下蚀刻所述衬底的至少一个主表面；和(3)从与含水酸性蚀刻溶液的接触中移开所述衬底的至少一个主表面；还涉及一种使用所述溶液和所述纹理化方法制造光伏电池和太阳能电池的方法。
专利类型：发明
专利号：201080042105.3
专利申请日：2010.09.09
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.05
分类号：
申请（专利权）人：巴斯夫欧洲公司;GP太阳能有限公司
发明（设计）人：S·布劳恩;J·普罗尔斯;I·梅尔尼克;M·米歇尔;S·马蒂森
国别省市：德国;DE